2016華南理工大學半導體物理考研大綱

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912半導體物理考試大綱

一、考試目的

本課程考試的目的是考察考生對半導體物理的基本概念、基本理論和基本分析方法的理解和掌握程度以及利用其解決半導體物理領域相關問題的能力。

二、考試的性質(zhì)與范圍

該入學考試是為微電子學與固體電子學碩士學位招收碩士研究生而設置的。它的評價標準是高等學校優(yōu)秀本科畢業(yè)生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較好的半導體物理基礎理論知識，考試范圍詳見考試內(nèi)容。

三、考試基本要求

要求考生系統(tǒng)掌握半導體物理學的基礎理論，對基本概念有深刻的理解，并且能靈活應用，具有較強的分析問題和解決問題的能力。

四、考試形式

復試選考課程，筆試、閉卷

五、考試內(nèi)容

1、半導體晶體結(jié)構(gòu)和半導體的結(jié)合性質(zhì)；

2、半導體中的電子狀態(tài)：半導體能帶的形成，Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構(gòu)，有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)和缺陷能級；

3、熱平衡下半導體載流子的統(tǒng)計分布：狀態(tài)密度、費米能級、本征半導體和雜質(zhì)半導體的載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應；

4、半導體的導電性：半導體導電原理，載流子的漂移運動、遷移率、散射機構(gòu)，半導體電阻率(電導率)隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律，強電場效應、熱載流子，負阻效應；

5、非平衡載流子：非平衡載流子與準費米能級，非平衡載流子注入與復合，復合理論，非平衡載流子壽命，愛因斯坦關系，載流子漂移、擴散運動，缺陷效應，連續(xù)性方程；

6、pn結(jié)：平衡與非平衡pn結(jié)特點及其能帶圖，pn結(jié)的I-V特性、電容特性、開關特性、擊穿特性；

7、金屬和半導體接觸：半導體表面態(tài)，表面電場效應，金屬與半導體接觸特性、MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性，

8、半導體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)的形成機理、能帶圖；

9、半導體的光學性質(zhì)及光電效應：半導體的光吸收，半導體光電導，半導體光生伏特效應，半導體發(fā)光及半導體激光器；

10、半導體熱電、磁電及壓阻效應：半導體熱傳導及熱電效應，半導體的霍耳效應，半導體的壓阻效應。

六、考試題型

概念題、分析論述題、推導題、作圖題、計算題

七、參考書目

1、《半導體物理學》，劉恩科等編，國防工業(yè)出版社。

2、《半導體物理學基礎教程》，馮文修等編，國防工業(yè)出版社