北京工業(yè)大學

胡冬青，女，副研究員，1988年蘭州大學理論物理專業(yè)畢業(yè)，2002年蘭州大學凝聚態(tài)物理專業(yè)碩士畢業(yè)，2005年蘭州大學微電子學與固體電子學專業(yè)博士畢業(yè)。1988年本科畢業(yè)后在蘭州鐵道學院（現(xiàn)蘭州交通大學）從事大學物理教學與實驗工作。1999—2005年在蘭州大學從事功率半導體器件——靜電感應器件（SIT、BSIT、SITH、SIPT）的研究，2005年到現(xiàn)在，在北京工業(yè)大學功率半導體器件與功率集成電路研究室從事MOSFET、IGBT、FRD等新型功率半導體器件研究，期間2007年-2008年應邀到香港科技大學做訪學，進行內(nèi)透明集電區(qū)IGBT的合作研究。

目前主要研究方向為功率半導體器件與功率集成電路，近幾年參加過多項國家、省部級、市級項目研究，發(fā)表學術論文20余篇，其中半數(shù)以上被SCI、EI、ISTP檢索。

目前在研項目：

國家自然科學基金面上項目：內(nèi)透明集電區(qū)IGBT——一類新結構IGBT

與企業(yè)合作橫向項目：智能功率模塊研究；功率快恢復二極管FRD研制。

目前主講課程：《專業(yè)概論》（面向本科生），《功率集成電路》（面向研究生）

Email：hudongqing@bjut.edu.cn