北京工業(yè)大學(xué)

一、基本情況

呂長志，研究員，中國電子學(xué)會高級會員。1974年畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)無線電系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)并留校任教，1991年在北京工業(yè)大學(xué)在職研究生畢業(yè)。因本人在科研方面的突出成績，于1998年獲中華人民共和國國務(wù)院特殊津貼獎勵。1996—2000年作為訪問學(xué)者分別在美國伊利諾依大學(xué)（UIUC）和弗吉尼亞州立大學(xué)（VCU）從事氮化鎵（GaN）基器件的研究，獲得了當(dāng)時世界領(lǐng)先的AlGaN/GaN MODFET(調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管)、GaN P-I-N 紫外光探測器科研成果，并發(fā)表了相應(yīng)的論文。因本人在出國留學(xué)期間發(fā)表的高水平科研論文、在此期間取得的科研成果及所創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)效益，于2005年獲第二屆北京市留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)獎。

二、主要研究方向：

AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探測器等新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計及制造；半導(dǎo)體器件、集成電路熱阻的測試研究；電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗(yàn)的研究。

三、在研課題：

GaN/AlGaN HFET的結(jié)構(gòu)材料生長和器件設(shè)計制造基礎(chǔ)技術(shù)；GaN基紫外探測器研究；半導(dǎo)體分立器件加速壽命試驗(yàn)新方法的研究；電源模塊可靠性快速評價技術(shù)及失效機(jī)理的研究；半導(dǎo)體器件貯存壽命的研究；LED、VDMOS、IGBT可靠性的研究。

四、科研成果

1．獲北京市、電子工業(yè)部科技進(jìn)步獎7項(xiàng)，其中有“功率晶體管峰值結(jié)溫非破壞性測量技術(shù)”“砷化鎵場效應(yīng)晶體管溝道溫度精確測量技術(shù)”“稅務(wù)數(shù)據(jù)自動化采集和計算機(jī)讀卡接收系統(tǒng)”等。

2．獲國家發(fā)明專利7項(xiàng)，實(shí)用新型專利4項(xiàng)。

3．與他人合著《超大規(guī)模集成電路設(shè)計技術(shù)－從電路到芯片》、譯著《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》《低成本倒裝芯片技術(shù)》。

4．發(fā)表科研論文100多篇。

五、聯(lián)系方式：

北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院郵編100124

E-mail: chzhlu@bjut.edu.cn ，Tel: 67392125