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      2024年南方科技大學(xué)817微電子科學(xué)與技術(shù)綜合考研考試大綱及參考書目

      分類:參考書目 來源:南方科技大學(xué)研究生招生網(wǎng) 2024-01-26 相關(guān)院校:南方科技大學(xué)

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      從南方科技大學(xué)研究生招生網(wǎng)獲悉,2024年南方科技大學(xué)碩士研究生招生考試大綱及參考書目已發(fā)布,內(nèi)容如下:

      考試科目代碼:817

      考試科目名稱:微電子科學(xué)與技術(shù)綜合

      說明:考試可以使用無字典存儲(chǔ)和編程功能的電子計(jì)算器

      一、考試要求

      1)模電與數(shù)電:全面系統(tǒng)地掌握模擬電路的基本概念及基本定律,并且能靈活 運(yùn)用,注意理論聯(lián)系實(shí)際,具有較強(qiáng)的分析和設(shè)計(jì)模擬電路的能力。全面系統(tǒng)地 掌握數(shù)字電路的基本概念、原理、分析思路與設(shè)計(jì)方法,以及相關(guān)器件與電路在 邏輯電路設(shè)計(jì)中的實(shí)際應(yīng)用;能夠靈活運(yùn)用相關(guān)知識(shí)分析和解決較綜合性的問題; 初步了解電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)概念及硬件描述語(yǔ)言。

      2) 固體電子學(xué):全面而系統(tǒng)地掌握電子材料與器件的基礎(chǔ)理論;掌握相關(guān)的知 識(shí)點(diǎn),深入理解其物理含義,能夠運(yùn)用這些知識(shí)解決實(shí)際應(yīng)用中的一些基本問題, 具有一定的公式推導(dǎo)能力;能夠靈活運(yùn)用相關(guān)知識(shí)分析和解決較綜合性的問題。

      二、考試內(nèi)容

      1)模電與數(shù)電

      a.半導(dǎo)體基礎(chǔ):PN 結(jié)的形成、PN 結(jié)的伏安特性、PN 結(jié)的單向?qū)щ娦阅,半?dǎo)體二極管、三極管的伏安特性、主要參數(shù)及簡(jiǎn)單應(yīng)用,雙極型三極管的電流放大 原理、伏安特性及其主要參數(shù),場(chǎng)效應(yīng)管的電壓放大原理、伏安特性及其主要參 數(shù)。

      b.基本放大電路:共射、共集、共基放大電路以及場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的概念;

      共射、共集、共基放大電路以及場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的工作原理和分析方法;共射、 共基、共集三種組態(tài)放大電路基本接法方法。

      c.多級(jí)放大電路:多級(jí)放大電路的耦合方式,直接耦合電路的動(dòng)態(tài)分析、零漂 抑制電路、差分放大電路的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)計(jì)算、互補(bǔ)輸出級(jí)電路、以及多級(jí)放 大電路。

      d.集成運(yùn)放電路:集成運(yùn)放的組成及電壓傳輸特性、鏡像電流源及衍生電路,集成運(yùn)放電路的簡(jiǎn)單分析和判斷。e.放大電路的頻率響應(yīng): 放大電路的幅頻特性及相頻特性,影響電路頻率特性的原因及高頻等效分析模型,波特圖對(duì)頻率響應(yīng)的表示方法。

      f. 放大電路中的反饋:反饋的基本概念及思想,負(fù)反饋的基本組態(tài)及判定方法,深度負(fù)反饋電路的分析方法,負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響。

      g. 信號(hào)的運(yùn)算和處理:基本運(yùn)算電路,模擬乘法器及其在運(yùn)算電路中的應(yīng)用; 有源濾波電路;其他實(shí)用放大電路。

      h. 波形的發(fā)生和信號(hào)的轉(zhuǎn)換:正弦波振蕩電路,電壓比較器,非正弦波發(fā)生電 路,基于集成運(yùn)放的信號(hào)轉(zhuǎn)換。

      i. 數(shù)制與碼制:數(shù)制、源碼、反碼、補(bǔ)碼等基本概念;采用補(bǔ)碼進(jìn)行帶符號(hào)加 法運(yùn)算的原理;了解常用的編碼類型。

      j. 邏輯代數(shù)基礎(chǔ):邏輯代數(shù)的基本運(yùn)算、基本定律與定理;邏輯問題的描述方 法、邏輯函數(shù)的表示方式;邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)(代數(shù)法和卡諾圖法)與變換。

      k. 門電路:TTL 門電路和 CMOS 門電路的邏輯功能、外特性和使用方法。

      l. 組合邏輯電路:組合邏輯電路的特點(diǎn)、分析與設(shè)計(jì)方法;常用集成組合邏輯 器件的邏輯功能和使用方法。

      m. 觸發(fā)器:觸發(fā)器的動(dòng)作特點(diǎn)、邏輯功能分類及描述、電氣特性以及性能指標(biāo)。 n. 時(shí)序邏輯電路:同步時(shí)序邏輯電路的特點(diǎn)、分析與設(shè)計(jì)方法;常用集成時(shí)序 邏輯器件的的邏輯功能和使用方法。

      o. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的工作原理、分類及各自的特點(diǎn);用存儲(chǔ)器 設(shè)計(jì)組合邏輯電路的原理和方法。

      p. 脈沖波形的產(chǎn)生與整形:施密特觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、多諧振蕩器特點(diǎn)及 應(yīng)用;555 定時(shí)器原理及其應(yīng)用。

      q. 數(shù)—模和模—數(shù)轉(zhuǎn)換:D/A 轉(zhuǎn)換器工作原理;A/D 轉(zhuǎn)換器類型及綜合性能指標(biāo)比較;D/A、A/D 轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換精度與速度及影響它們的主要因素。

      r. 硬件描述語(yǔ)言:Verilog 語(yǔ)言兩種描述方式特點(diǎn)比較;用 Verilog 描述簡(jiǎn)單組合邏輯電路。

      2)固體電子學(xué)

      a. 材料科學(xué)基礎(chǔ)概念:固體中的鍵及類型;分子動(dòng)力學(xué)理論;麥克斯韋能力均

      分定理;杜隆-珀替定則;熱膨脹;晶體的種類,晶胞、原子填充因子以及晶面

      2 / 3濃度;晶向、晶面、晶面間距和密勒指數(shù);點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷;同構(gòu)合金及其相圖;二元低共熔合金相圖。

      b. 固體的電導(dǎo)和熱導(dǎo):電流密度與漂移速率;溫度與電阻率的關(guān)系;馬希森定則;諾德海姆定則;混合物的電阻率;霍爾效應(yīng)與霍爾器件。

      c. 量子物理基礎(chǔ):光的波粒二象性;德布羅意波;一維定態(tài)薛定諤方程;無限深勢(shì)阱中的束縛電子;量子遂穿;氫原子;泡利不相同原理;能量最低原理;洪特定則;受激輻射與激光器。

      d. 現(xiàn)代固體理論:分子軌道成鍵理論;能帶的形成;能級(jí)雜化;電子的有效質(zhì)量;能帶中的狀態(tài)密度;玻爾茲曼經(jīng)典統(tǒng)計(jì);費(fèi)米-狄拉克統(tǒng)計(jì);費(fèi)米能級(jí);金屬的接觸勢(shì);塞貝克效應(yīng)和熱電偶;熱電子發(fā)射;肖特基效應(yīng)和場(chǎng)發(fā)射;聲子。

      三、考試時(shí)間:180 分鐘,滿分:150 分

      四、試卷結(jié)構(gòu)

      1) 填空及選擇填空題(約20%)

      2) 簡(jiǎn)答題(約25%)

      3) 分析、證明題(約20%)

      4) 計(jì)算題(約35%)

      五、參考書目

      模電與數(shù)電:

      1)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》第四版 ,童詩(shī)白 華成英 編,高教出版社,2006 年;

      2)《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版),閻石主編,高等教育出版社,2006 年 5 月。

      固體電子學(xué):

      1)《電子材料與器件原理》(第 3 版),上冊(cè):理論篇,[加]卡薩普(Kasap,S. O.),汪宏等譯,西安交通大學(xué)出版社,2009 年 6 月。

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