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    2022年國防科技大學F1001電子技術基礎考研大綱及參考書目

    分類:2025考研大綱 來源:國防科技大學 2021-07-06 相關院校:國防科技大學

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    2022年研究生入學考試自命題科目考試大綱

    科目代碼:F1001 科目名稱:電子技術基礎

    一、復習資料

    1.《電子線路(線性部分)》(第5版),馮軍、謝嘉奎編,高等教育出版社,2010年8月。

    2.《數(shù)字電子技術基礎》(第6版),閻石、王紅編,高等教育出版社,2016年4月。

    二、考試內(nèi)容及要求

    (一)模擬電子線路

    包括半導體器件及應用,基本組態(tài)放大電路,組合放大電路,反饋放大電路,差分放大電路,集成運算放大電路及其應用。

    1.半導體器件及應用

    考試內(nèi)容:

    PN結(jié),晶體二極管,晶體三極管,場效應管(MOSFET)。

    考試要求:

    (1)掌握PN結(jié)的基本特性;掌握晶體二極管伏安特性、數(shù)學模型、簡化電路模型、相關性能參數(shù)及基本應用;掌握晶體三極管在放大模式下的電流分配關系、伏安特性、數(shù)學模型、直流簡化模型、小信號電路模型及基本應用;掌握MOSFET的伏安特性、數(shù)學模型、小信號電路模型及基本應用;掌握半導體器件應用電路的圖解分析法、簡化分析法和小信號等效電路分析法。

    (2)理解半導體器件各模型中參數(shù)的物理意義;理解晶體二極管構(gòu)成的整流、穩(wěn)壓、限幅等功能電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、技術指標;理解晶體三極管構(gòu)成的電流源、放大器和跨導線性電路的結(jié)構(gòu)和工作原理。

    (3)了解MOSFET構(gòu)成的有源電阻和模擬開關電路的結(jié)構(gòu)和工作原理。

    2.放大器基礎

    考試內(nèi)容:

    三極管和場效應管三種基本組態(tài)放大電路,差分放大電路,多級組合放大電路。

    考試要求:

    (1)掌握三極管和場效應管偏置電路及其直流分析方法;掌握基本組態(tài)放大電路的增益、輸入、輸出電阻的分析方法。

    (2)理解差分放大電路的性能特點;掌握差分電路直流偏置、差模增益、共模增益、共模抑制比、輸入電阻、輸出電阻的計算方法;理解差分放大器動態(tài)范圍的概念;掌握差分放大器動態(tài)范圍擴展的方法。

    (3)理解放大電路頻率響應的概念;理解傳輸函數(shù)與波特圖的對應關系;掌握波特圖的繪制方法;掌握器件與基本放大電路頻率響應的分析方法。

    (4)理解多級放大器的耦合方式;掌握多級放大器性能指標的計算方法。

    3.電流源電路

    考試內(nèi)容:鏡像電流源、比例電流源、微電流源,恒流源負載。

    (1)理解鏡像電流源、比例電流源、微電流源及其改進型電路的工作原理;掌握電流源電路的電流與輸出電阻的分析方法。

    (2)理解恒流源負載放電器的特點,掌握恒流源負載放大器與差分放大器性能的分析計算方法。

    4.放大器中的負反饋

    考試內(nèi)容:

    負反饋放大器概念,反饋基本關系式,反饋的類型與性質(zhì)的判別,深度負反饋放大器、反饋電路的穩(wěn)定性。

    考試要求:

    (1)理解反饋的基本概念和反饋放大器的組成;掌握反饋放大器的基本關系式;掌握反饋放大器極性和類型的判別方法。

    (2)理解負反饋的自動調(diào)節(jié)作用;掌握負反饋對放大器性能影響的分析方法。

    (3)理解深度負反饋的概念;掌握深度負反饋條件下源電壓增益的估算方法。

    (4)掌握反饋放大電路穩(wěn)定性的分析方法,了解反饋放大器電路相位補償?shù)幕靖拍睢?/p>

    5.集成運算放大器及應用

    考試內(nèi)容:

    理想集成運算放大器,線性運算電路,集成電壓比較器。

    考試要求:

    (1)掌握理想集成運算放大器的基本概念。

    (2)掌握集成運算放大器各種閉環(huán)線性應用(運算)電路工作原理與分析,包括各種加、減法運算電路,微分、積分運算電路,對數(shù)、反對數(shù)運算電路,乘、除法運算電路,精密整流電路,儀器放大器和電流傳輸器等。

    (3) 掌握集成運算放大器非線性應用電路-電壓比較器(單限電壓比較器、遲滯比較器、窗口比較器)的電路結(jié)構(gòu)組成、工作原理,并能應用遲滯比較器設計三角波和方波等函數(shù)信號發(fā)生器。

    (二)數(shù)字邏輯電路

    包括邏輯代數(shù)基礎,邏輯門電路,組合邏輯電路的分析與設計,集成觸發(fā)器,時序邏輯電路的分析與設計,半導體存儲器和可編程器件,數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器。

    1.邏輯代數(shù)基礎與邏輯門

    考試內(nèi)容:

    基本邏輯運算,邏輯代數(shù)的基本定定律、基本定理與常用公式,邏輯函數(shù)及其表示,邏輯函數(shù)的化簡,邏輯函數(shù)的標準形,數(shù)制與碼制、基本邏輯門

    考試要求:

    (1)掌握邏輯代數(shù)的基本定律、基本定理及常用公式;掌握邏輯函數(shù)的基本表示方法及其之間的互換;掌握用代數(shù)法和卡諾圖法化簡邏輯函數(shù)的方法;掌握具有約束項的邏輯函數(shù)及其化簡。

    (2) 理解邏輯函數(shù)的最大項與最小項表示方法,掌握而者之間的互換關系。

    (3)掌握基本數(shù)制以其轉(zhuǎn)換方法;掌握基本碼制及其規(guī)律。

    (4)掌握TTL與非門 、OC門及三態(tài)門的電路組成、邏輯符號、邏輯功能、主要性能參數(shù)和使用注意事項;掌握CMOS門電路的組成規(guī)律和使用注意事項。

    2.組合邏輯電路

    考試內(nèi)容:

    組合邏輯電路的分析和設計方法,常用組合邏輯功能器件。

    考試要求:

    (1)掌握組合邏輯電路的一般分析和設計方法;

    (2)掌握譯碼器(包括現(xiàn)實譯碼器)、編碼器、數(shù)據(jù)選擇器、數(shù)據(jù)分配器、數(shù)據(jù)比較器、加法器 的基本組成原理、基本邏輯功能。

    (3)掌握用常用的組合邏輯功能器件以及使用它們實現(xiàn)組合邏輯功能的方法。

    3.時序邏輯電路

    考試內(nèi)容:

    觸發(fā)器,時序邏輯電路的分析方法,常用時序邏輯功能器件,時序邏輯電路的設計。

    考試要求:

    (1)掌握各類觸發(fā)器的邏輯功能及描述方法。

    (2)掌握時序邏輯電路的一般分析與設計方法。

    (3)掌握計數(shù)器、寄存器、順序脈沖發(fā)生器、序列信號發(fā)生器的電路特點、邏輯功能和分析設計方法。

    (4)掌握用常用的時序功能器件以及使用它們實現(xiàn)時序邏輯功能的方法。

    4.半導體存儲器和可編程邏輯器件

    考試內(nèi)容:

    只讀存儲器ROM,隨機存取存儲器RAM,可編程陣列邏輯PAL,通用陣列邏輯GAL,復雜可編程邏輯器件CPLD,現(xiàn)場可編程門陣列FPGA。

    考試要求:

    (1)掌握存儲器位擴展和字擴展的方法;掌握用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)的方法。

    (2)理解常見半導體存儲器ROM 、RAM的基本結(jié)構(gòu)、工作原理;理解常見可編程器件PLA 、PAL、GAL的基本結(jié)構(gòu)和應用原理;理解FPGA的基本結(jié)構(gòu)和應用原理。

    5.數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器

    考試內(nèi)容:

    D/A轉(zhuǎn)換器,A/D轉(zhuǎn)換器。

    考試要求:

    (1)掌握D/A和A/D轉(zhuǎn)換的基本原理。

    (2)理解D/A和A/D轉(zhuǎn)換的精度與轉(zhuǎn)換速度概念。

    (3)了解幾種典型的D/A和A/D轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)和工作原理。

    三、試卷結(jié)構(gòu)

    (一)基本題型

    1.填空題、是非題、簡答題:約占20分;

    2.計算題、綜合題:約占80分。

    (二)各部分內(nèi)容分值所占大致比例

    模擬電子線路50分,數(shù)字邏輯電路50分。

    內(nèi)容
    分值
    半導體器件及應用
    5
    放大器基礎
    20
    電流源電路
    7
    放大器中的負反饋
    8
    集成運算放大器及應用
    10
    邏輯代數(shù)基礎與邏輯門
    10
    組合邏輯電路
    14
    時序邏輯電路
    14
    半導體存儲器和可編程邏輯器件
    6
    數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器
    6

    (三)各部分要求分值所占大致比例

    1.需要掌握的內(nèi)容約65分。

    2.需要理解的內(nèi)容約25分。

    2.需要理解的內(nèi)容約10分。

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