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    2021年西安交通大學(xué)809電子技術(shù)基礎(chǔ)(含模擬和數(shù)字)考研參考書目及考試大綱

    分類:參考書目 來源:西安交通大學(xué)研究生招生信息網(wǎng) 2021-01-20 相關(guān)院校:西安交通大學(xué)

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    從西安交通大學(xué)研究生招生信息網(wǎng)獲悉,2021年西安交通大學(xué)碩士研究生招生考試809電子技術(shù)基礎(chǔ)(含模擬和數(shù)字)參考書目及考試大綱公布,內(nèi)容如下:

    2021年電子技術(shù)基礎(chǔ)考試大綱

    考試內(nèi)容:模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)

    考試形式和試卷結(jié)構(gòu)

    一、試卷滿分及考試時間

    試卷滿分為150分,考試時間為180分鐘.

    二、試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)

    模擬電子技術(shù)                   50%

    數(shù)字電子技術(shù)                   50%

    三、試卷題型結(jié)構(gòu)

    模擬電子技術(shù) 75分

    讀圖、分析并簡要回答       約6小題,每小題5分,共30分

    分析、計算、畫圖題          約3大題,共45分

    數(shù)字電子技術(shù) 75分

    填空、選擇或判斷題     約15小題,每小題2分,共30分

    簡答題、電路設(shè)計和分析題 約4大題,共45分

     

    模擬電子技術(shù)

    考試內(nèi)容

    PN結(jié)及其單向?qū)щ娦。普通半?dǎo)體二極管和硅穩(wěn)壓管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù),二極管在整流、檢波和限幅電路中的應(yīng)用。

    晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。共射放大電路的組成、工作原理。放大電路的靜態(tài)和動態(tài)分析。靜態(tài)工作點的選擇與穩(wěn)定。共集和共基放大電路的工作原理及其分析。多級放大電路的組成及性能分析。放大電路頻率特性(頻響和失真、晶體管高頻特性、單管放大電路頻響)。

    場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、外特性、主要參數(shù)。場效應(yīng)晶體管的共源、共漏和共柵極放大電路分析。

    集成電路中元器件的特點及集成運放的典型結(jié)構(gòu)。集成運放中的基本單元電路(差分放大、電流源、復(fù)合管、互補(bǔ)推挽放大電路)的工作原理及其分析方法。通用集成運放簡化電路工作原理。集成運放的主要參數(shù)及低頻等效電路。

    反饋的基本概念及反饋類型判別,負(fù)反饋對放大電路性能的影響,負(fù)反饋放大電路的分析及近似計算,負(fù)反饋放大電路中的自激振蕩及消除。

    加、減、積分、微分、對數(shù)、反對數(shù)運算電路的工作原理及性能分析。模擬乘法器原理及其基本應(yīng)用。

    電子系統(tǒng)的基本組成。信號檢測系統(tǒng)中的放大電路(測量放大器、隔離放大器)。有源濾波器(基本概念,一階、二階低通、高通電路的實現(xiàn)),電壓比較器(單門限、多門限比較器、集成比較器)。

    正弦波信號發(fā)生器的概述(振蕩條件、選頻、振蕩的建立與穩(wěn)定)。 RC 、 LC 、石英晶體振蕩器的組成及工作原理分析。非正弦波發(fā)生器(方波、三角波、鋸齒波、壓控振蕩器)的組成及工作原理分析。

    功率放大電路的特點及分類。互補(bǔ)推挽功率放大電路(乙類、甲乙類、單電源、前置級為運放的功率放大電路)的工作原理及其性能分析。

    整流、濾波和線性穩(wěn)壓電路的工作原理。三端線性集成穩(wěn)壓器的工作原理及使用方法。低差壓線性集成穩(wěn)壓器、高精度基準(zhǔn)源、開關(guān)型穩(wěn)壓電路基本原理。

    考試要求

    1.了解摻雜半導(dǎo)體的基本概念。理解PN結(jié)的形成過程。掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽,二極管的伏安特性及主要參數(shù),二極管整流、限幅和檢波電路應(yīng)用,硅穩(wěn)壓管的伏安特性及主要參數(shù)。

    2.理解晶體管的電流分配與放大作用,放大電路的組成原則及工作原理,放大電路的圖解分析方法。掌握晶體管的工作狀態(tài)、伏安特性及主要參數(shù),晶體管放大電路的主要技術(shù)指標(biāo),晶體管放大電路的靜態(tài)工作點估算法、微變等效電路法,晶體管的三種基本放大電路及多級放大電路的分析計算方法,放大電路的頻率響應(yīng)分析計算方法。

    3.了解場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)與類型。理解場效應(yīng)管的工作原理。掌握場效應(yīng)管的伏安特性及主要參數(shù),場效應(yīng)管微變等效電路,場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析方法和動態(tài)分析方法,場效應(yīng)管的三種基本放大電路。

    4.了解集成電路中元器件的特點及集成運算放大器的典型結(jié)構(gòu),電流源有源負(fù)載的基本原理,通用集成運放的電路及工作原理。理解復(fù)合管電路的結(jié)構(gòu)及特性。掌握差分放大電路的分析計算方法,集成運放的主要參數(shù)及簡化低頻等效電路。

    5.理解反饋的基本概念,負(fù)反饋對放大電路性能的影響,負(fù)反饋放大電路的自激振蕩條件。掌握負(fù)反饋放大電路的基本類型、判斷方法、分析及近似計算方法。

    6.理解模擬乘法器的工作原理。掌握集成運放組成的運算電路的分析方法,各種基本運算電路的結(jié)構(gòu)及工作原理,模擬乘法器的基本應(yīng)用電路及分析方法。

    7.了解信號檢測系統(tǒng)的基本組成。理解隔離放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。掌握測量放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理,濾波器的基本知識,低通、高通有源濾波器的特性和分析方法,電壓比較器的特性和分析方法。

    8.了解石英晶體振蕩器的基本原理。掌握正弦波自激振蕩的基本原理,RC型正弦波信號發(fā)生器、 LC型正弦波信號發(fā)生器的分析計算方法,方波、三角波、鋸齒波發(fā)生器的分析計算方法。

    9.了解功率放大電路的特點和分類。理解單電源功率放大電路的工作原理。掌握乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路的工作原理及主要性能指標(biāo)計算,甲乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路的工作原理,前置級為運放的功率放大電路的主要性能指標(biāo)計算。

    10.了解直流穩(wěn)壓源的組成,倍壓整流電路的基本原理,開關(guān)型穩(wěn)壓電路的基本原理。掌握單相橋式整流電路的工作原理及主要性能指標(biāo),濾波電路的工作原理及其主要參數(shù),串聯(lián)型線性穩(wěn)壓電路的組成及工作原理,集成三端穩(wěn)壓器的分析計算方法。

    “模擬電子技術(shù)”參考文獻(xiàn)

    楊拴科,趙進(jìn)全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第2版), 高等教育出版社,2010,11. (普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材)

    楊拴科,趙進(jìn)全. 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第2版)學(xué)習(xí)指導(dǎo)與解題指南, 高等教育出版社,2012,09. (普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材配套參考書)

     

     

    數(shù)字電子技術(shù)

    一、數(shù)字邏輯基礎(chǔ)、集成邏輯門電路、鎖存器和觸發(fā)器

    考試內(nèi)容

        數(shù)制和碼制、基本邏輯運算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

    數(shù)制和碼制、基本邏輯運算、基本定理及常用公式、邏輯函數(shù)及其表示方法、邏輯函數(shù)的卡諾圖、邏輯函數(shù)的化簡方法。

    CMOS集成門電路、TTL集成邏輯門、集成門電路的外特性及參數(shù)、OC門和三態(tài)邏輯門電路、邏輯門電路使用中的幾個實際問題。

    考試要求

    1.理解數(shù)制和碼制的概念,掌握幾種常用數(shù)制及轉(zhuǎn)換方法,掌握補(bǔ)碼概念,掌握8421BCD、ASCII碼,了解余3碼、格雷碼、奇偶校驗碼等。

    2.掌握邏輯運算基本定理及常用公式,掌握邏輯函數(shù)的幾種表達(dá)方式及相互轉(zhuǎn)換方法。掌握邏輯函數(shù)的兩種化簡方法。熟練掌握基本邏輯運算、同或、異或和與或非的方框型和特殊形狀邏輯符號。

    3.了解集成TTL與非門內(nèi)部電路工作原理,理解集成門電路的外特性,即傳輸特性、輸入特性、輸出特性以及輸入端負(fù)載特性。掌握噪聲容限和扇出數(shù)的計算。理解CMOS邏輯門的結(jié)構(gòu)特點,了解TTL和CMOS門的區(qū)別,掌握集電極開路(包括漏極開路門)和三態(tài)門點各自特點及應(yīng)用。

    二、可編程邏輯器件(PLD)

    考試內(nèi)容

    PLD發(fā)展和分類、低密度PLD的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用。CPLD和FPGA的各自結(jié)構(gòu)特點和區(qū)別,不要求掌握高密度PLD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

    考試要求

    1.了解PLD的發(fā)展、分類和應(yīng)用。掌握幾種低密度PLD的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用。

    2.理解PLD的編程方法。掌握CPLD和FPGA特點和區(qū)別。

    三、組合和時序邏輯電路的分析和設(shè)計

    考試內(nèi)容

    組合邏輯電路的基本概念和器件符號、門級組合邏輯電路的分析和設(shè)計、編碼器和譯碼器、多路選擇器、加法器和比較器、基于MSI(中規(guī)模器件)組合邏輯電路的分析和設(shè)計。

    時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式、基于觸發(fā)器的時序電路的分析和設(shè)計、集成計數(shù)器、寄存器和移位寄存器、基于MSI時序邏輯電路的分析和設(shè)計。

    考試要求

    1.理解組合邏輯電路和時序電路的定義。掌握時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)、分類和描述方式。

    2.掌握基于門和觸發(fā)器的電路設(shè)計和分析方法。

    3.熟悉MSI符號和功能表(不需要記憶,給出符號和功能表能理解并使用),掌握教材中幾種常用中規(guī)模器件的特點和應(yīng)用。

    4.掌握基于MSI的組合和時序邏輯電路設(shè)計和分析方法。

    四、 脈沖產(chǎn)生與整形電路

    考試內(nèi)容

    施密特觸發(fā)器及應(yīng)用、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及應(yīng)用、石英晶體多諧振蕩器及應(yīng)用、555定時器及其應(yīng)用。

    考試要求

    1.理解施密特觸發(fā)器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和多諧振蕩器的概念。

    2.掌握集成施密特觸發(fā)器的符號,會看集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時器的功能表和符號。

    3.掌握集成施密特觸發(fā)器、集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和555定時器應(yīng)用(分析和設(shè)計)。

    五、半導(dǎo)體存儲器

    考試內(nèi)容

    存儲器基本概念(分類和性能指標(biāo))、隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器、集成存儲器芯片及擴(kuò)展和應(yīng)用。

    考試要求

    1.了解存儲器分類和性能指標(biāo)。通過存儲單元結(jié)構(gòu)理解隨機(jī)存取存儲器和只讀存儲器特點。

    2.了解RAM、EPROM、EEPROM等幾種集成存儲器的型號、符號等。

    3.掌握集成存儲器的引腳信息、容量、擴(kuò)展方法和應(yīng)用等。

    六、數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換

    考試內(nèi)容

    D/A轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成DAC應(yīng)用、采樣保持器、A/D轉(zhuǎn)換器原理和特性參數(shù)、集成ADC器件。

    考試要求

    1.了解ADC和DAC的原理、作用、主要參數(shù)和誤差。理解采樣保持器的原理和作用。

    2.掌握并行比較型、逐次漸近型和雙積分型ADC的優(yōu)缺點。

    3.掌握集成DAC的應(yīng)用。

    “數(shù)字電子技術(shù)”參考文獻(xiàn)

    (教材選擇下面前兩本之一即可)

    張克農(nóng),寧改娣,趙進(jìn)全,金印彬. 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ). 第2版. 高等教育出版社. 2010.7(普通高等教育“十二五”國家級規(guī)劃教材)

    寧改娣,金印彬,張虹. 數(shù)字電子技術(shù)與微處理器基礎(chǔ)(上冊)——現(xiàn)代數(shù)字電子技術(shù). 西安電子科技大學(xué)出版社. 2015.2

    寧改娣,劉濤,金印彬,趙進(jìn)全編.數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第2版)學(xué)習(xí)指導(dǎo)與解題指南. 高等教育出版社. 2013.9


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