山東大學(xué)

夏令營(yíng)時(shí)間：2017年7月20日-7月23日

申請(qǐng)時(shí)間：2017年6月10日—6月30日

微電子學(xué)院簡(jiǎn)介

山東大學(xué)2015年6月獲教育部批準(zhǔn)籌建示范性微電子學(xué)院。山東大學(xué)微電子學(xué)院設(shè)微電子系、集成電路工程系、微電子與集成電路實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心、微電子材料與器件研究所和集成電路與系統(tǒng)研究所。微電子學(xué)院擁有微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)碩士和博士學(xué)位授權(quán)、電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)碩士學(xué)位授權(quán)、電路與系統(tǒng)博士學(xué)位授權(quán)和集成電路工程專(zhuān)業(yè)碩士授權(quán)。山東大學(xué)微電子學(xué)院作為新成立的學(xué)院，學(xué)院現(xiàn)有碩士生導(dǎo)師26人，博士生導(dǎo)師8人，其中包括“****”國(guó)家特聘教授1人，泰山學(xué)者1人，教育部新世紀(jì)人才1人，泰山產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才1人，齊魯青年學(xué)者1人，泉城學(xué)者2人，青年學(xué)者未來(lái)計(jì)劃2人，教授13人，兼職特聘教授1人。微電子學(xué)院將廣泛引進(jìn)和招收國(guó)內(nèi)外微電子專(zhuān)業(yè)高層次人才，利用3年左右的時(shí)間，使微電子學(xué)院的師資隊(duì)伍規(guī)模達(dá)到100人左右，以滿(mǎn)足微電子學(xué)院教學(xué)和科研全方位的快速發(fā)展需求。

微電子學(xué)院擁有完善的科研平臺(tái)。擁有山東省“微電子材料與器件”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和“山東大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)中心”設(shè)計(jì)平臺(tái)，該平臺(tái)可承擔(dān)大規(guī)模專(zhuān)用集成電路與可編程片上系統(tǒng)的科學(xué)研究工作。微電子學(xué)院具有開(kāi)展薄膜材料生長(zhǎng)、納米器件工藝加工和集成電路芯片設(shè)計(jì)前沿科學(xué)研究的完備實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，已投資3500萬(wàn)建設(shè)完成的納電子研究中心，加工精度可達(dá)7nm,器件測(cè)試頻率高達(dá)750GHz(國(guó)內(nèi)測(cè)試頻率最高);微電子學(xué)院現(xiàn)有的材料生長(zhǎng)、器件工藝加工、材料和器件以及半導(dǎo)體芯片性能測(cè)試設(shè)備總值近5000萬(wàn)元。在強(qiáng)有力的硬件條件支撐下，微電子學(xué)院科學(xué)研究已融入微電子前沿主流的研究方向，研究?jī)?nèi)容全面覆蓋半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件和集成電路設(shè)計(jì)等微電子領(lǐng)域的重要研究方向。

夏令營(yíng)內(nèi)容安排

2018年山東大學(xué)微電子學(xué)院“先進(jìn)微電子與半導(dǎo)體芯片技術(shù)夏令營(yíng)”暑期夏令營(yíng)，將于2018年7月20日至7月23日舉行。暑期夏令營(yíng)期間，將舉辦專(zhuān)業(yè)介紹、學(xué)術(shù)講座、實(shí)驗(yàn)室參觀等多種活動(dòng)。夏令營(yíng)期間還安排2018年微電子學(xué)院接收推薦免試研究生的選拔工作和報(bào)考生的提前復(fù)試工作。夏令營(yíng)期間面試合格的學(xué)生，如報(bào)考山大微電子學(xué)院達(dá)到復(fù)試線，將在復(fù)試錄取中予以?xún)?yōu)先考慮。

本次活動(dòng)涵蓋山東大學(xué)微電子學(xué)院所有研究生招生專(zhuān)業(yè)，包括微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路工程。夏令營(yíng)擬招收50人，錄完為止。從6月10日至6月30日接受申請(qǐng)材料。所申請(qǐng)材料不退。

山東大學(xué)微電子學(xué)院將為參加者提供夏令營(yíng)期間的食宿、以及外地院校學(xué)生前往濟(jì)南的雙程普通火車(chē)票或汽車(chē)票費(fèi)用(需出示車(chē)票報(bào)銷(xiāo))。

1.申請(qǐng)資格：

a.全國(guó)高校本科三年級(jí)在校生(2019年畢業(yè)生)。

b.學(xué)習(xí)成績(jī)?cè)趯?zhuān)業(yè)或全年級(jí)排名前20%者。

c.大學(xué)英語(yǔ)四級(jí)在426分以上。

d.對(duì)微電子學(xué)科有濃厚興趣并志愿報(bào)考山東大學(xué)微電子學(xué)院。

e.985或211高校學(xué)生條件適當(dāng)放寬并優(yōu)先錄取。

f.無(wú)不及格課程者優(yōu)先錄取。

2.申請(qǐng)材料：

a.2018年山東大學(xué)微電子學(xué)院“先進(jìn)微電子與半導(dǎo)體芯片技術(shù)夏令營(yíng)”暑期夏令營(yíng)申請(qǐng)1份，其中包括申請(qǐng)表、個(gè)人陳述、蓋學(xué)校教務(wù)部門(mén)公章的在校成績(jī)單。

b.其它支持材料，如獲獎(jiǎng)證書(shū)復(fù)印件1份;國(guó)家英語(yǔ)四、六級(jí)考試成績(jī);申請(qǐng)人還可提交體現(xiàn)自身學(xué)術(shù)水平的代表性學(xué)術(shù)論文。

3.申請(qǐng)方式：

網(wǎng)上申報(bào)：申請(qǐng)人通過(guò)電子郵件寄送申請(qǐng)表(word版)(見(jiàn)附件)，文件名為學(xué)校名稱(chēng)-學(xué)生姓名，無(wú)需打包。

Email地址為：fanjihui2008@126.com。網(wǎng)上申報(bào)截止日期2018年6月30日。

材料提交：將網(wǎng)上申報(bào)材料提交后打印、簽字、或蓋章，將書(shū)面材料裝入A4大信封。信封正面注明申請(qǐng)人姓名、所在學(xué)校及院系，并注明“夏令營(yíng)申請(qǐng)”。

所有材料郵寄至：濟(jì)南市舜華路1500號(hào)，山東大學(xué)軟件園校區(qū)微電子學(xué)院研究生辦公室。郵寄材料截止日期為2018年6月30日(以當(dāng)?shù)剜]戳為準(zhǔn)，請(qǐng)盡早寄出)，過(guò)期不再接受申請(qǐng)。申請(qǐng)材料以書(shū)面為準(zhǔn)，網(wǎng)上申請(qǐng)只作參考。

4.材料審核及錄取

審核和錄取工作由微電子學(xué)院組織專(zhuān)門(mén)委員會(huì)負(fù)責(zé)。錄取工作將于7月7日結(jié)束，錄取名單將在山東大學(xué)微電子學(xué)院網(wǎng)站上公布，請(qǐng)隨時(shí)關(guān)注。

山東大學(xué)微電子學(xué)院研究生辦公室咨詢(xún)電話：0531-88390132。

2018年山大微電子學(xué)院QQ群：756582918，請(qǐng)各位及時(shí)加群，并且修改備注為姓名-學(xué)校-手機(jī)號(hào)。

更多內(nèi)容請(qǐng)留意山東大學(xué)微電子學(xué)院網(wǎng)頁(yè)。

5.日程安排：

附件【山東大學(xué)微電子學(xué)院先進(jìn)微電子與半導(dǎo)體芯片技術(shù)夏令營(yíng)申請(qǐng)表.doc】