哈爾濱工業(yè)大學(xué)

根據(jù)教育部關(guān)于加強(qiáng)碩士研究生招生復(fù)試工作的指導(dǎo)意見(jiàn)及學(xué)校有關(guān)要求，微電子學(xué)與固體電子學(xué)和集成電路工程2018年碩士研究生招生復(fù)試指導(dǎo)確定如下。

一、復(fù)試比例及主要內(nèi)容

1、復(fù)試由筆試和面試兩部分組成，外國(guó)語(yǔ)聽(tīng)力考試在面試中進(jìn)行。復(fù)試的總成績(jī)?yōu)?80分，其中筆試200分，面試80分。

2、復(fù)試筆試科目

(1)電子線(xiàn)路(數(shù)字電子和模擬電子)，占100分。

主要內(nèi)容：半導(dǎo)體二極管及其基本電路;半導(dǎo)體三極管及其放大電路基礎(chǔ);場(chǎng)效應(yīng)放大電路;集成電路運(yùn)算放大器;反饋放大電路;信號(hào)的運(yùn)算與處理電路;信號(hào)的產(chǎn)生電路;直流穩(wěn)壓電源;邏輯門(mén)電路;組合邏輯電路的分析與設(shè)計(jì);常用組合邏輯功能器件;觸發(fā)器;時(shí)序邏輯電路的分析和設(shè)計(jì);常用時(shí)序邏輯功能器件。

參考書(shū)目：1.《基礎(chǔ)電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年8月第1版。

2.《集成電子技術(shù)》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年7月第1版。

(2)晶體管原理，占50分。

主要內(nèi)容：pn結(jié)直流特性、空間電荷區(qū)和電容、pn結(jié)擊穿;雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性和功率特性的物理基礎(chǔ);場(chǎng)效應(yīng)晶體管(包括結(jié)型和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性和功率特性;MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應(yīng)以及擊穿特性。

參考書(shū)目：1.《微電子器件基礎(chǔ)》蘭慕杰等編,電子工業(yè)出版社,2013年版.

2.《微電子技術(shù)基礎(chǔ)――雙極、場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理》曹培棟編著，電子工業(yè)出版社，2001年第一版。

3.《雙極型與場(chǎng)效應(yīng)晶體管》武世香編,電子工業(yè)出版社,1995年版

(3)半導(dǎo)體集成電路，占50分。

主要內(nèi)容：典型的集成電路制造工藝流程及原理(雙極工藝和MOS工藝);集成電路中常用的器件結(jié)構(gòu)及其寄生效應(yīng);雙極型邏輯集成電路(TTL及單管邏輯門(mén))工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì);MOS邏輯集成電路(NMOS、CMOS以及MOS動(dòng)態(tài)電路)工作原理、靜態(tài)特性、瞬態(tài)特性及版圖設(shè)計(jì);各類(lèi)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及特性;模擬集成電路中常用單元電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)特點(diǎn)等。

參考書(shū)目：《集成電路設(shè)計(jì)》，葉以正來(lái)逢昌編，清華大學(xué)出版社，2016年版。

3、面試主要內(nèi)容。

(1)從事科研工作的基礎(chǔ)與能力;

(2)綜合分析與語(yǔ)言表達(dá)能力;

(3)外語(yǔ)聽(tīng)力及口語(yǔ);

(4)大學(xué)學(xué)習(xí)情況及學(xué)習(xí)成績(jī);

(5)專(zhuān)業(yè)課以外其他知識(shí)技能的掌握情況;

(6)特長(zhǎng)與興趣;

(7)身心健康狀況。