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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)研究生導(dǎo)師介紹：孫錢

分類：導(dǎo)師信息來源：中國考研網(wǎng) 2017-04-28　相關(guān)院校：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

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孫錢
單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
地址：江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號
郵編：215123
電話：0512-62872721
個人主頁：http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201205/t20120502_3567386.html

個人簡歷 Personalresume
孫錢，現(xiàn)任中科院蘇州納米所研究員、博導(dǎo)，器件部副主任，美國耶魯大學(xué)博士，中組部首批國家“青年****”，國家優(yōu)秀青年自然科學(xué)基金獲得者，國家技術(shù)發(fā)明一等獎獲得者。

2002年提前一年從中國科技大學(xué)畢業(yè)，獲材料物理理學(xué)學(xué)士和計算機科學(xué)與技術(shù)工程學(xué)士雙學(xué)位，并榮獲郭沫若校長獎。同年以全系第一名的成績免試推薦到中科院半導(dǎo)體所攻讀碩士學(xué)位。2005年碩士畢業(yè)后到美國耶魯大學(xué)深造，于2009年獲得博士學(xué)位，并榮獲耶魯大學(xué)工學(xué)院五個系每年唯一的優(yōu)秀博士畢業(yè)生獎Becton獎。博士畢業(yè)后在耶魯大學(xué)電子工程系任AssociateResearchScientist。2010年6月加入美國硅谷的普瑞光電公司BridgeluxInc.，任EpiR&DScientist，負(fù)責(zé)8英寸硅襯底GaN基高效LED的外延研發(fā)。2011年入選中組部首批國家“青年****”，2012年入選江蘇省“雙創(chuàng)人才”計劃和蘇州工業(yè)園區(qū)“金雞湖雙百人才”，2015年被評為中國電子學(xué)會優(yōu)秀科技工作者。

迄今為止，在NaturePhotonics、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等期刊上發(fā)表了70余篇被SCI收錄的學(xué)術(shù)論文，總引用900余次。參與編寫了英文專著一章，是20余項美國和中國發(fā)明專利的發(fā)明人，其中一項已許可給韓國首爾半導(dǎo)體SeoulSemiconductor公司量產(chǎn)LED。曾受國際氮化物會議ICNS、IWN、ICMOVPE、WLED、ChinaSSL、SemiconTaiwanLED等國際會議邀請作特邀報告。此外，還應(yīng)邀為NanoLetters、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等多家國際學(xué)術(shù)期刊評審論文。目前為國家重點研發(fā)計劃課題、科技部863計劃課題、國家自然科學(xué)基金重點項目、工信部電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目、江蘇省科技成果轉(zhuǎn)化專項、江蘇省科技支撐計劃項目、及蘇州市科技計劃項目等的負(fù)責(zé)人。

十余年以來一直致力于寬禁帶半導(dǎo)體GaN基材料生長及新型高效LED、激光器、GaN基功率電子器件等的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

（1）在美國硅谷的普瑞光電公司工作期間，在8英寸硅襯底上實現(xiàn)了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光電公司已將該技術(shù)轉(zhuǎn)售給日本東芝公司，獲技術(shù)轉(zhuǎn)讓費逾1億美元�；貒笈c晶能光電有限公司進行產(chǎn)學(xué)研實質(zhì)性合作，兼任公司硅襯底GaN基LED研發(fā)副總裁，帶領(lǐng)團隊成功研發(fā)出新一代硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片工藝技術(shù)，并在全球率先成功產(chǎn)業(yè)化，2014年晶能光電基于該技術(shù)而新增的LED產(chǎn)品銷售逾3億人民幣（毛利率逾40%），打破了國際上基于藍寶石和碳化硅襯底的LED技術(shù)專利對我國的封鎖。孫錢博士因此榮獲2016年國家技術(shù)發(fā)明一等獎。

（2）2015年實現(xiàn)了國際上第一支硅襯底GaN基藍紫光激光器（氮化物半導(dǎo)體的另一種重要光電器件）的電注入室溫連續(xù)激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推進我國激光顯示與激光照明等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而且還為硅基光電集成提供了一種新的技術(shù)路線。部分成果已發(fā)表在NaturePhotonics10,595–599(2016)

（3）在Si襯底氮化物電力電子方面，孫錢研究員的課題組研發(fā)的硅基氮化物外延材料的擊穿電壓已突破1500V，并且通過P型柵實現(xiàn)了增強型電力電子器件，將推進我國第三代半導(dǎo)體電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化進程。

研究方向 Researchdirection
1、寬禁帶半導(dǎo)體光電子材料
2、寬禁帶半導(dǎo)體電子器件
3、材料生長與測試表征