中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

劉建平
單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
地址：江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號
郵編：215123
電話：0512-62872691
個人主頁：http://nanodevices.sinano.ac.cn/nami/people.php?id=5&tid=1&t_id=579

個人簡歷  Personalresume 
2004年在中科院半導(dǎo)體所獲得微電子與固體電子學(xué)博士學(xué)位。2004年至2006年，在北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)實驗室工作。2006年至2010年,在美國佐治亞理工學(xué)院電子與計算機工程系從事博士后研究。2010年5月加入中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，現(xiàn)為研究員，博士生導(dǎo)師。十多年以來一直致力于氮化鎵基材料生長和高效LED、激光器等的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
（1）在佐治亞理工學(xué)院工作期間，研制出GaN基紫光和藍光激光器，其中紫色激光器的閾值電流密度和內(nèi)量子效率等指標達到國際先進水平，研究結(jié)果被SemiconductorToday專題報道。
（2）近年來研制出高性能氮化鎵基藍光激光器和綠光激光器。研制的藍光激光器達到產(chǎn)業(yè)化水平，并在國內(nèi)率先研制出綠光激光器，在中科院“十二五”科研任務(wù)驗收中被評為優(yōu)秀重大突破項目。在國際同行中產(chǎn)生了一定影響，多次在國際和國內(nèi)學(xué)術(shù)會議上做口頭和大會報告，是該研究方向國際上主要的課題組之一。
（3）是國際上最早從實驗上證實由于空穴注入的限制，InGaN多量子阱有源區(qū)實際上只有最靠近p-GaN的一個量子阱發(fā)光的研究者之一，并首先采用降低量子阱勢壘高度的方法改善了多量子阱中的載流子的均勻性。
迄今為止在Appl.Phys.Lett.、IEEEJ.Sel.Top.QuantumElectron.和Appl.Phys.Express等國際期刊上發(fā)表SCI收錄論文70多篇，總他引次數(shù)700多次。曾經(jīng)承擔美國國防部DARPA和能源部項目，中國國家自然科學(xué)基金、國家“863”、中科院先導(dǎo)專項及江蘇省科技支撐計劃重點項目等多項科研項目。

研究方向  Researchdirection 
1、氮化物半導(dǎo)體材料與器件